掺杂Os1-xMxSi2（x=0.0625）（M=Re、Ir）的电子结构研究

• 作者: 刘丙金 李旭珍
• 来源期刊: 科技风
• 关键词: 掺杂OsSi2 电子结构
• 年，卷（期）: 2016,（15）
• 页码范围: 13-13,14
• 页数: 2页
• 分类号: 0471.5
• 字数: 1529字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19392/j.cnki.1671-7341.201615011

摘要

本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波的方法，对OsSi2晶胞的理论模型分别掺入Re和Ir原子，并对掺杂后的电子结构进行了理论计算。理论计算结果显示：1）Re和Ir两种杂质的掺入都使得OsSi2晶胞的体积有所改变，造成了晶格畸变；2）系统总能量的计算表明Re、Ir掺杂时倾向于置换OsSi2的Os II位置；Re的掺入使得OsSi2的费米面向价带移动，形成了P型半导体；而掺Ir则使得OsSi2的费米面向导带移动，形成了N型半导体。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丙金		5	4	1.0	1.0