氢还原后三氯氢硅的杂质控制

• 作者: 宋东明 杨丞杰
• 来源期刊: 化学反应工程与工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅还原 三氯氢硅 杂质控制
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 284-288
• 页数: 5页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 2161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11730/j.issn.1001-7631.2017.03.0284.05

摘要

为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施.结果表明:降低提纯塔进料量,提高提纯塔回流量和采出量能有效降低还原后三氯氢硅中硼、磷杂质含量.对还原炉钟罩、基盘和备品备件进行合理的维护和选用,能有效控制氢还原后三氯氢硅中碳和金属杂质含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋东明		10	61	5.0	7.0
3	杨丞杰		6	8	2.0	2.0