氮化硅镀膜工艺参数优化

• 作者: 于晓燕 周滨 邱党社 黄凡
• 来源期刊: 湖南文理学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 氮化硅薄膜 沉积速率
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 电气·机械
• 页码范围: 40-44
• 页数: 5页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 2788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6146.2017.04.011

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法沉积给定折射率的氮化硅薄膜,通过正交实验法对衬底温度、NH3流量和射频功率3个对氮化硅薄膜沉积速率影响较大的工艺参数进行全局优化和调整,得到了氮化硅镀膜的最优工艺参数.