集成电路Cu互连中NbxSi1-x扩散阻挡层的制备与热稳定性研究

• 作者: 裴迪 邓鹏远
• 来源期刊: 哈尔滨轴承
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连 NbxSi1-x薄膜 阻挡层 Cu/NbxSi1-x/Si系统 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 字数: 2814字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4852.2017.04.013

摘要

随着集成电路深亚微米工艺的不断发展,Cu因其低电阻率以及良好的抗电迁移能力成为了新一代的互连材料.然而,Cu和Si元素扩散造成的污染是无法避免的.为了阻止Cu的扩散同时提高Cu与Si之间的粘附性,在Cu互连线外添加一层扩散阻挡层的技术十分必要.寻找能够有效克制Cu扩散的阻挡层材料已经成为近年来Cu互连技术研究中的重点研究之一.本文采用射频磁控溅射技术和直流磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上制备了NbxSi1-x/Si系统和Cu/NbxSi1-x/Si系统并对不同退火温度热处理后的Cu/NbxSi1-x/Si系统的电阻率和热稳定性进行了探究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	裴迪		3	0	0.0	0.0
2	邓鹏远		3	1	1.0	1.0