金属-铁电层(BNT)-绝缘层(YSZ)-半导体(Si)二极管的存储特性及可靠性研究

• 作者: 宋宏甲 张溢 王金斌 粟诗雨 钟向丽
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理和材料科学
• 页码范围: 62-66
• 页数: 5页
• 分类号: TN384
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2017.020801

摘要

制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15 Ndo.85Ti3 O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性.结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88 V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5％.另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60 d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13％,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王金斌	湘潭大学材料科学与工程学院	37	88	5.0	8.0
2	钟向丽	湘潭大学材料科学与工程学院	25	30	3.0	5.0
3	宋宏甲	湘潭大学材料科学与工程学院	10	2	1.0	1.0
4	粟诗雨	湘潭大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
5	张溢	湘潭大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0