正方形孔径纳米半球阵列提高LED光提取效率研究

• 作者: 冷雁冰 刘顺瑞 孙艳军 张明磊 王丽
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 时域有限差分法 纳米半球 光提取效率 电致发光
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 发光学应用及交叉前沿
• 页码范围: 1668-1674
• 页数: 7页
• 分类号: TN383
• 字数: 4468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173812.1668

摘要

为提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)的光提取效率,基于等效介质理论设计了底面100%占空比、半径为320 nm的正方形孔径纳米半球阵列.利用时域有限差分法(FDTD)对正方形孔径纳米半球阵列结构底面占空比、半径对光提取效率的影响进行了仿真计算研究.仿真结果表明:LED p-GaN表面刻蚀半径为320 nm、底面占空比为100%的正方形孔径纳米半球阵列的光提取效率最优.采用电子束曝光配合热回流技术和ICP刻蚀完成正方形孔径纳米半球阵列的GaN基LED制作及测试实验.结果表明:在20 mA和150 mA工作电流下,有微纳结构的LED较无微纳结构的参考样品的发光效率分别提高4.67倍和4.59倍,计算结果与实验结果比较一致,说明加入方形孔径纳米半球阵列可以有效提高LED光提取效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙艳军	长春理工大学光电工程学院	36	106	6.0	9.0
2	冷雁冰	长春理工大学光电工程学院	34	117	6.0	10.0
3	王丽	长春理工大学光电工程学院	32	34	3.0	4.0
4	刘顺瑞	长春理工大学光电工程学院	9	5	1.0	2.0
5	张明磊	长春理工大学光电工程学院	2	3	1.0	1.0