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应用于AMOLED的金属氧化物TFT行驱动电路设计
应用于AMOLED的金属氧化物TFT行驱动电路设计
作者:
张振娟
王志亮
邓洪海
魏觅觅
黄静
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
有源矩阵有机发光二级管
氧化铟镓锌薄膜晶体管
行驱动电路
复用输出
摘要:
薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是平板显示领域核心的有源寻址器件,金属氧化物TFT应用于有源矩阵有机发光二级管(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示已成为业界研究热点.基于氧化铟镓锌薄膜晶体管(IGZO TFT)模型,采用相邻TFT串接反馈(series connected two-transistor,STT)、双负电源、多时钟控制等结构设计,提出一款新型的行集成驱动电路.该电路能显著减少器材的漏电流,有效提高输出级栅级电压,稳定输出.仿真结果显示,在60 Hz刷新速率下,该电路单级的功耗为161.53μW,驱动信号为7μs,满足4K(3 840列×2160行)分辨率的显示需求,可以实现180级级联和复用输出,电路结构简单,功耗小.通过进一步优化该电路的结构与器件参数,单级功耗可减少到126.05 μW,同时纹波和失真也可得到一定程度的抑制.
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内容分析
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相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
应用于AMOLED的金属氧化物TFT行驱动电路设计
来源期刊
南通大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
有源矩阵有机发光二级管
氧化铟镓锌薄膜晶体管
行驱动电路
复用输出
年,卷(期)
2017,(4)
所属期刊栏目
电子 信息工程与计算机科学
研究方向
页码范围
1-4,81
页数
5页
分类号
TN4
字数
2353字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1673-2340.2017.04.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张振娟
南通大学电子信息学院
26
65
3.0
6.0
2
黄静
南通大学电子信息学院
32
90
4.0
8.0
3
邓洪海
南通大学电子信息学院
8
4
1.0
1.0
4
王志亮
南通大学电子信息学院
22
39
3.0
5.0
5
魏觅觅
南通大学电子信息学院
1
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2017(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
有源矩阵有机发光二级管
氧化铟镓锌薄膜晶体管
行驱动电路
复用输出
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
南通大学学报(自然科学版)
主办单位:
南通大学
出版周期:
季刊
ISSN:
1673-2340
CN:
32-1755/N
开本:
大16开
出版地:
江苏省南通市啬园路9号
邮发代号:
创刊时间:
2002
语种:
chi
出版文献量(篇)
1549
总下载数(次)
7
总被引数(次)
6139
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