基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
采用一步电沉积在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上制备纯相SnO2纳米晶薄膜材料,通过改变沉积条件,研究沉积电位、镀液温度和HNO3浓度对薄膜组成结构的影响.结果表明:当沉积电位为-0.9V (vs.SCE),镀液温度为65℃,HNO3浓度为50 mmol/L时,所制备的SnO2纳米晶薄膜为纯相金红石型结构,且薄膜相对连续致密.光电性能测试表明,该薄膜具有优异的光电性能,在可见光区透光率大于90%,带隙为3.75 eV,且电阻率为2.2×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.9×1020 cm-3,载流子迁移率为14.8 cm2/(V·s).故所制备的SnO2纳米晶薄膜是太阳能电池的理想窗口层材料.
推荐文章
Ce 掺杂纳米 SnO2粉体的制备及其结构表征
铈Ce掺杂
纳米粉体
SnO2
化学共沉淀
Pd掺杂SnO2纳米结构传感器制备与氢敏性能研究
雾化热解
多孔SnO2
Pd掺杂
氢敏测试
高分散 SnO2纳米粒子的制备及其气敏性能研究?
气体传感器
SnO2
碳微球
乙醇敏感
纳米掺杂SnO2粉末材料的研究
纳米掺杂
触头材料
溶胶-凝胶法
电性能
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 纯相SnO2纳米晶薄膜的一步电沉积制备及其结构与光电性能研究
来源期刊 北京化工大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 纯相SnO2 纳米晶薄膜 电沉积 太阳能电池 窗口层材料
年,卷(期) 2017,(3) 所属期刊栏目 材料科学与工程
研究方向 页码范围 19-25
页数 7页 分类号 TQ153
字数 4642字 语种 中文
DOI 10.13543/j.bhxbzr.2017.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李志林 北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室 23 128 7.0 10.0
2 王峰 北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室 51 262 11.0 15.0
3 吉静 北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室 27 257 11.0 15.0
4 刘萌 北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室 3 8 2.0 2.0
5 窦美玲 北京化工大学材料科学与工程学院材料电化学过程与技术北京市重点实验室 2 0 0.0 0.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2017(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
纯相SnO2
纳米晶薄膜
电沉积
太阳能电池
窗口层材料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
北京化工大学学报(自然科学版)
双月刊
1671-4628
11-4755/TQ
16开
北京市北三环东路15号
82-657
1972
chi
出版文献量(篇)
3271
总下载数(次)
7
总被引数(次)
27609
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导