一种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路

• 作者: 张渊 沈征 王俊 肖剑波 邓林峰 黄海清
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 工学
• 关键词: SiCBJT 驱动电路 脉冲功率技术
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 214-219
• 页数: 6页
• 分类号: TN783
• 字数: 3886字
• 语种: 中文

摘要

提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路.脉冲放电时,整个电路与电网间由高阻隔离;采用达林顿结构实现了充电电路;驱动电路基于硅MOSFET和硅BJT 2级电路,对光耦电流进行快速功率放大.实验结果表明,SiC BJT在脉冲放电时,基极电流从0过渡到器件导通所需电流的上升时间约为6 ns.所提出的驱动电路设计思想对高压双极型功率半导体器件的快速驱动开发具有启发意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈征	湖南大学电气与信息工程学院	17	104	5.0	9.0
2	王俊	湖南大学电气与信息工程学院	14	16	3.0	3.0
3	肖剑波	湖南大学电气与信息工程学院	3	11	2.0	3.0
4	邓林峰	湖南大学电气与信息工程学院	3	6	2.0	2.0
5	张渊	湖南大学电气与信息工程学院	4	9	2.0	3.0
6	黄海清	湖南大学电气与信息工程学院	1	4	1.0	1.0