氢气气氛下横向PNP晶体管电离损伤行为

• 作者: 刘超铭 李兴冀 杨剑群 陈朝基 马国亮
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 电离辐射 界面态 深能级瞬态谱仪 栅扫技术
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 690-695
• 页数: 6页
• 分类号: TN823+.27
• 字数: 3184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201704.0690

摘要

无论氢在电子器件内部以何种形式(H2分子、H原子或H+离子)存在,均会对电子器件电离损伤产生作用,进而影响器件的抗辐照能力.本文深入研究了氢气和空气气氛条件下1 MeV电子辐照栅控横向PNP(GLPNP)型双极晶体管的辐射损伤缺陷演化行为.利用Keithley 4200SCS半导体参数测试仪对不同气氛下辐照过程中晶体管进行在线原位电性能参数测试,研究晶体管电性能退化与电子辐照注量和氢气深度之间的关系;基于栅扫技术(GS)和深能级瞬态谱技术(DLTS),研究双极晶体管中氢诱导电离损伤缺陷演化的基本特征.研究表明,与空气气氛相比,氢气气氛下电子辐照导致GLPNP的基极电流增加显著,而集电极电流明显降低,产生更多的氧化物电荷和界面态,这些现象均说明氢气加剧双极晶体管的电离辐射损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘超铭	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	13	19	2.0	3.0
2	李兴冀	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	19	54	3.0	7.0
3	杨剑群	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	16	38	2.0	5.0
4	马国亮	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	11	21	2.0	4.0
5	陈朝基	中国空间技术研究院载人航天总体部	2	2	1.0	1.0