Vishay推出最新第4代600VE系列功率MOSFET

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 第四代 电阻比 N沟道 企业级 器件 通信 电源
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 20-20
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

日前，Vishay宣布推出第四代600VE系列功率MOSFET的首颗器件——SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低30％，为通信、工业和企业级电源提供了高效率的解决方案。