ADS 模式低存储电容像素设计

• 作者: 尚飞 朴正淏 栗鹏 邱海军 金在光 金熙哲 韩乾浩 高文宝
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 高级超维场转换技术 Dual Gate GOA 4K TV 存储电容 双条形电极
• 年，卷（期）: 2017,（1）
• 所属期刊栏目: ?材料与器件?
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 1142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173201.0019

摘要

高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明：当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30％~40％.实验结果表明：采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2．5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金熙哲		2	4	2.0	2.0
2	栗鹏		1	2	1.0	1.0
3	朴正淏		1	2	1.0	1.0
4	金在光		1	2	1.0	1.0
5	尚飞		1	2	1.0	1.0
6	邱海军		1	2	1.0	1.0
7	高文宝		1	2	1.0	1.0
8	韩乾浩		1	2	1.0	1.0