ADS双栅线结构高透像素设计

• 作者: 廖燕平 方琰 李承珉 毕瑞琳 王小元 王武 白雅杰 袁剑峰 邵喜斌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ADS 双栅线 电极 透过率
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 543-548
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1|TH691.9
• 字数: 2039字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193406.0543

摘要

大尺寸、高分辨率(4K:3 840×2 160、8K:7 680×4 320)、高透过率和高性价比是TV产品发展的主要方向.先进的超级多维场开关(ADS)双栅线4K阵列基板栅极(Gate on Array,GOA)产品是目前主流的TV产品之一,因产品分辨率高和双栅线结构,像素尺寸较小且开口率较低,加之常规ADS双栅线像素结构在两个子像素中间的暗区较大,导致面板透过率较低,影响产品特性和竞争力.本文在常规ADS双栅线像素结构基础上,改变两层电极的功能,使底层电极作为像素电极,顶层电极作为公共电极,同时顶层电极在两个子像素面内采用联通设计,减小有效电场弱区和像素暗区,提升像素光效和透过率.模拟和试验结果表明:新型ADS双栅线像素设计可以提升面板透过率约3％.且光学、电学、机械和信赖性等评价无问题,可实际应用于产品,提高产品价值和竞争力.