基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件

• 作者: 刘畅 吴宗国 张峰 黄鲁
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) TCAD仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 电气与电子工程
• 页码范围: 1676-1680
• 页数: 5页
• 分类号: TN335
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2017.08.026

摘要

针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_ N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160％,ESD鲁棒性更强,适用范围更广.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张峰	中国科学技术大学信息科学技术学院	149	3496	30.0	56.0
5	黄鲁	中国科学技术大学信息科学技术学院	75	277	9.0	13.0
6	刘畅	中国科学技术大学信息科学技术学院	118	1090	17.0	29.0
7	吴宗国	中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心	2	3	1.0	1.0