Te元素掺杂Bi2Se3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应

• 作者: 俞国林 吴麟章 周远明 康亭亭 张小强 徐进霞 梅菲 田锋 蒋妍 魏来明
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 拓扑绝缘体 Bi2Se3纳米线 反弱局域 退相干长度
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 页码范围: 270-275
• 页数: 6页
• 分类号: O484.3
• 字数: 1527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.03.004

摘要

采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2 Se3和Bi2(TexSe1-x)3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1.x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l(ψ),l(ψ)从1.5K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l(ψ)∞ T-0.96指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.