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摘要:
近日,IBM在京都举行的VLSI Technology and Circuits研讨会上宣布,IBM与其研究联盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司为新型的芯片制造了5纳米(nm)大小的晶体管。为了实现这个壮举,就必须在现有的芯片内部构架上进行改变。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5nm晶体管的工艺有了实现可能,而这一工艺将有可能引爆未来芯片性能的进一步高速发展。
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文献信息
篇名 IBM正式宣布突破5nm芯片制造工艺
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 芯片制造工艺 IBM 半导体行业 VLSI 合作伙伴 三星公司 芯片性能 晶体管
年,卷(期) bdtxx_2017,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-21
页数 2页 分类号 TN405
字数 语种
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2017(0)
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研究主题发展历程
节点文献
芯片制造工艺
IBM
半导体行业
VLSI
合作伙伴
三星公司
芯片性能
晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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