石墨烯上生长GaN纳米线的研究

• 作者: 付润定 修向前 刘斌 华雪梅 张荣 李悦文 谢自力 郑有炓 陈丁丁 陈琳 陈鹏
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: CVD GaN纳米线 石墨烯 催化剂 单晶
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 813-817
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2017.06.010

摘要

在常压条件下采用化学气相淀积(CVD)技术在有石墨烯插入层的衬底上生长GaN纳米线,研究了生长温度、石墨烯插入层、催化剂等因素对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、光致发光(PL)谱、拉曼(Raman)谱和透射电子显微镜(TEM)等表征手段对GaN纳米线的形貌、光学特性以及结构进行表征.结果表明,在1 100℃条件下,同时有石墨烯插层和催化剂的衬底表面能够获得低应力单晶GaN纳米线.石墨烯、催化剂对于获得低应力单晶GaN纳米线有重要的作用.