载流子选择性接触:高效硅太阳电池的选择

• 作者: 周浪 王涛 肖友鹏 高超
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅太阳电池 载流子选择性接触 电导率不对称
• 年，卷（期）: 2017,（15）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 345-352
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.158801

摘要

太阳电池可看成由光子吸收层和接触层两个基本单元组成,接触层是高复合活性金属界面和光子吸收层之间的区域.为了进一步提高硅太阳电池的转换效率,关键是降低光子吸收层和接触之间的复合损失.近年来,载流子选择性接触引起了光伏界的研究兴趣,其被认为是接近硅太阳电池效率理论极限的最后的障碍之一.本文分析了三种类型的载流子选择性接触:在光子吸收层与金属界面之间引入薄的重掺杂层,即所谓的发射极或背面场;利用两种材料之间的导带或价带对齐;利用高功函数的金属氧化物与晶硅接触从而在晶硅中感应能带弯曲.基于一维太阳电池模拟软件wxAMPS,模拟了扩散同质结硅太阳电池[结构为(p+)c-Si/(n)c-Si/(n+)c-Si]、非晶硅薄膜硅异质结太阳电池[结构为(p+)a-Si/(i)a-Si/(n)c-Si/(i)a-Si/(n+)a-Si]和氧化物薄膜硅异质结太阳电池[结构为(n)MoOx/(n)c-Si/(n)TiOx]暗态下的能带结构和载流子浓度的空间分布,其中c-Si为晶硅;a-Si为非晶硅;(i),(n)和(p)分别表示本征、n型掺杂和p型掺杂.模拟结果表明:载流子选择性接触的核心是在接触处晶硅表面附近形成载流子浓度空间分布的不对称进而使得电导率的不对称,形成了对电子的高阻和空穴的低阻或者对空穴的高阻和电子的低阻,从而让空穴轻松通过同时阻挡电子,或者让电子轻松通过同时阻挡空穴,形成空穴选择性接触或者电子选择性接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周浪	南昌大学光伏研究院	110	1018	16.0	26.0
2	王涛	南昌大学光伏研究院	22	56	4.0	7.0
3	高超	南昌大学光伏研究院	14	10	2.0	2.0
4	肖友鹏	南昌大学光伏研究院	4	19	1.0	4.0