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基于40nm CMOS工艺的低杂散低噪声亚采样锁相环设计
基于40nm CMOS工艺的低杂散低噪声亚采样锁相环设计
作者:
曾铭
林福江
王宇涛
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
亚采样
参考杂散
锁相环
BFSK效应
低杂散
摘要:
基于SMIC 40 nm CMOS工艺,设计了一款应用于2.4 GHz的高性能低杂散低噪声亚采样锁相环(SSPLL).压控振荡器(VCO)的输出直接被参考时钟信号采样,实现了核心环路无分频器.使用互补开关对和Dummy采样器消除了BFSK效应,减少了参考杂散.同时,通过自偏置缓冲器的隔离作用进一步减少了杂散.可调死区产生电路加速了锁定建立过程.后仿结果表明,该SSPPL在1.1V的电源电压下核心电路功耗为5.84 mW,在50 MHz的频偏处参考杂散为-84.56 dBc,带内相位噪声为-125 dBc/Hz@1 MHz.
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文献信息
篇名
基于40nm CMOS工艺的低杂散低噪声亚采样锁相环设计
来源期刊
微型机与应用
学科
工学
关键词
亚采样
参考杂散
锁相环
BFSK效应
低杂散
年,卷(期)
2017,(16)
所属期刊栏目
硬件与结构
研究方向
页码范围
33-36,40
页数
5页
分类号
TN43
字数
2196字
语种
中文
DOI
10.19358/j.issn.1674-7720.2017.16.010
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
林福江
中国科学技术大学信息科学技术学院
44
42
3.0
4.0
2
王宇涛
中国科学技术大学信息科学技术学院
3
5
2.0
2.0
3
曾铭
中国科学技术大学信息科学技术学院
2
3
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
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2017(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
2018(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
亚采样
参考杂散
锁相环
BFSK效应
低杂散
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息技术与网络安全
主办单位:
华北计算机系统工程研究所(中国电子信息产业集团有限公司第六研究所)
出版周期:
月刊
ISSN:
2096-5133
CN:
10-1543/TP
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区清华东路25号(北京927信箱)
邮发代号:
82-417
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
10909
总下载数(次)
33
总被引数(次)
35987
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