俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响

• 来源期刊: 中国粉体工业
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米电子 二维半导体 托木斯克 硒化 薄膜材料 易损性 导电性 电子设备所 科研小组 电子产品
• 年，卷（期）: 2017,（6）
• 页码范围: 46-46
• 页数: 1页
• 分类号: TB383

摘要

俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》（IF 2.305,Q2）杂志上。