不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响

• 作者: 张保花 葛梅 蔡青 薛俊俊 陈将伟
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 退火 Ni纳米岛 制备
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 146-149
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 1839字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.09.026

摘要

目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段.但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染.除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤.因此,以GaN、SiO2、Al2O3和Six Ny分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究.发现850℃的退火温度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈将伟	南京邮电大学电子科学与工程学院	13	43	4.0	6.0
2	薛俊俊	南京邮电大学电子科学与工程学院	3	3	1.0	1.0
3	蔡青	南京大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
4	张保花	南京大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
5	葛梅	南京大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0