碳化硅压力传感器结构仿真及优化

• 作者: 李帅 王建平
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: SiC压力传感器 压力传感器应变膜 有限元分析方法 微压力传感器
• 年，卷（期）: 2017,（22）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 字数: 3653字
• 语种: 中文

摘要

SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料.本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李帅		1	2	1.0	1.0
2	王建平	大同大学物电学院	1	2	1.0	1.0