PN结型器件在交流小信号下的电容特性

• 作者: 冯列峰 王立英
• 来源期刊: 大学物理
• 学科: 物理学
• 关键词: PN结 负电容 发光二极管(LED) GaN
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 物理实验
• 页码范围: 64-67,76
• 页数: 5页
• 分类号: O475
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16854/j.cnki.1000-0712.170075

摘要

GaN基发光二极管(LED)是典型的PN结型器件,本文以GaN-LED为例,系统阐述了PN结在交流小信号下的电容特性;首次区分、定义了‘电压区间’,并阐明了不同‘电压区间’对电容起贡献的机制.指出:小电压下,PN结电容主要由耗尽层电容贡献,随电压几乎不发生变化;过渡区,PN结电容主要由扩散电容贡献,随电压近e指数增加.这些特性与经典Shockley理论一致.大电压下,PN结电容变为负值.精确分析负电容特性后,总结出了负电容随电压和频率的精确变化关系式.负电容的实验结果难以被经典Shockley的扩散电容理论解释,但为Hess教授的《Advanced Theory of Semiconductor Devices》 提供了有力的实验基础,将为半导体器件物理的发展起到推动作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯列峰	天津大学理学院物理系物理实验中心	9	47	4.0	6.0
2	王立英	天津大学理学院物理系物理实验中心	6	3	1.0	1.0