InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

• 作者: 信思树 袁俊 郭杰 郭胜 龚晓霞
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InSb芯片 表面亮点 机械抛光 材料腐蚀
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 133-138
• 页数: 6页
• 分类号: TN304|TN215
• 字数: 3220字
• 语种: 中文

摘要

表面抛光及腐蚀是InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后"亮点"等问题,分析了压力、转速、抛光料配比、滴料速度等工艺条件对 InSb形貌的影响.实验发现,在压力低于4.5 N、转速低于80 r/min、抛料配比为1:1、滴料速度小于1滴/s或加入氧化剂H2O2时,InSb芯片表面"亮点"得到了有效的解决.采用自行研制的AB腐蚀液对抛光后的材料进行腐蚀,消除损伤层,处理后InSb芯片表面光亮、平整.经表面处理过的芯片制备而得器件所测I-V曲线得出:暗电流大幅降低,R0A为8.16×102?·cm2,黑体探测率D*为3.1× 1010cm·Hz1/2·W-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	信思树		7	16	2.0	4.0
2	龚晓霞		7	31	3.0	5.0
3	郭杰	云南师范大学物理与电子信息学院	15	24	3.0	4.0
5	袁俊		14	59	5.0	7.0
6	郭胜	云南师范大学物理与电子信息学院	2	0	0.0	0.0