MBE生长GaAsBi过程中Bi组分对背景杂质含量的影响

• 作者: 吴晓燕 宋禹忻 张凡 张焱超 张立瑶 潘文武 王利娟 王庶民
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsBi 背景杂质 Bi 分子束外延
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 基础理论
• 页码范围: 662-667
• 页数: 6页
• 分类号: TK730.2
• 字数: 2562字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2018.05.015

摘要

用分子束外延(MBE)技术外延生长了GaAs1-xBix(0<x<0.05)合金样品,并通过二次离子质谱(SIMS)研究了样品中从MBE腔体背景引入的诸如C、H、O、N等杂质的含量分布.结果表明,随着Bi含量在3％ ～5％之间不断增加,杂质C的含量显著下降,而O的含量则在Bi组分达到5％时才显著减小.由于应力补偿作用的影响,N和Bi的分布呈现非常强的相关性.但是,并没有观察到Bi对于H含量的分布有明显的影响作用.这些发现对于提高GaAsBi材料的质量具有重要的意义.