探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响

• 作者: 刘娟娟 吴晓燕 崔健 张振普 潘文武 王庶民 陈其苗
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAsBi 气态源分子束外延 生长温度 AsH3压 Bi源温度
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 352-357
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2017.03.002

摘要

为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构.通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH3压的升高而减小,在As2和Ga束流比在0.5～0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入.