不同生长条件对 Sn 掺杂 ZnO 薄膜电学性能的影响

• 作者: 刘云珍 叶志镇 吕建国 龚丽
• 来源期刊: 长沙理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO Sn 掺杂 透明导电薄膜 电学性能 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 【材料、化学与生物工程】
• 页码范围: 81-86
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 5136字
• 语种: 中文

摘要

采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了 Sn 掺杂 ZnO 透明导电薄膜，用 Hall 效应测试仪表征了薄膜的电学性能，研究了不同生长条件对薄膜电学性能的影响。研究结果表明，随着 Ar/O 2比的增加，电阻率先减小后增大，在 Ar/O 2为6时，取得最低的电阻率为2.02×10-2Ω·cm；随着溅射功率的增大，薄膜电阻率急剧减小，在140 W 时获得最低电阻率为2.89×10-2Ω·cm；在溅射时间11 min 时得到了最低的薄膜电阻率，为1.45×10-2Ω·cm。随着压强的增大，电阻率先急剧减小，后缓慢增大，当溅射压强为0.8 Pa时，薄膜电阻率具有最小值，为2.17×10-2Ω·cm。当衬底温度在400~500℃范围内变化时，在475℃时取得最佳电学性能，电阻率为2.26×10-2Ω·cm。在整个实验条件下，当 Ar/O 2为8、溅射功率为180 W、衬底温度为450℃、溅射压强为0.5 Pa、溅射时间为11 min 时，薄膜具有最佳的导电性能，电阻率为1.45×10-2Ω·cm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学材料科学与工程学院	155	1638	21.0	35.0
2	吕建国	浙江大学材料科学与工程学院	35	769	12.0	27.0
3	龚丽	长沙理工大学物理与电子科学学院	11	12	2.0	2.0
4	刘云珍	长沙理工大学物理与电子科学学院	2	2	1.0	1.0