Sn掺杂对ZnO压敏变阻器电学性能的影响

• 作者: 吕树臣 杨明珠 牟海维
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO变阻器 Sn掺杂 电性能
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 149-152
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2304字
• 语种: 中文

摘要

本文采用沉淀法以SnCl2·H2O代替SbCl3制备了ZnO压敏变阻器.分析了SnO2含量对变阻器电学性能的影响.随着SnO2含量的增加,漏电流和压敏电压明显增大；而非线性系数在SnO2掺杂量达到3.0 mol％时达到极大值.通过适当的掺杂,得到了漏电流为0.08 μA,非线性系数为80.3,压敏电压为1006.7 V1mA/mm性能良好的ZnO变阻器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕树臣	哈尔滨师范大学物理系	76	556	14.0	21.0
2	牟海维	东北石油大学电子科学学院	97	259	7.0	10.0
3	杨明珠	东北石油大学电子科学学院	2	4	2.0	2.0