(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响

• 作者: 亓鹏 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 (Nb,Mg,Al)掺杂的ZnO压敏电阻 势垒 漏电流 残压比 非线性系数
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.08.010

摘要

研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响.施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关.小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关.而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性.(Nb,Mg,Al)多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了≈0.3μA、V40kA/V1mA≈2.5和α≈110.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	亓鹏	山东大学物理与微电子学院	13	107	7.0	10.0
4	王春明	山东大学物理与微电子学院	14	140	7.0	11.0
5	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
6	臧国忠	山东大学物理与微电子学院	16	145	8.0	11.0