生长条件对Ga掺杂ZnO薄膜微观结构及光致发光性能的影响?

• 作者: 周小红 杨卿 梁淑华 邹军涛
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: ZnO薄膜 Ga掺杂 热氧化 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 087803-1-087803-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.087803

摘要

利用热氧化法在不同参数条件下生长了Ga掺杂范围较宽的ZnO薄膜，研究了ZnO薄膜的表面微观结构和光致发光性能。研究表明： Ga以Ga3+存在并掺入ZnO晶格取代Zn2+， Ga的掺入改变了ZnO薄膜中的缺陷类型及浓度、化学计量比、薄膜表面结晶质量，进而影响了薄膜的光致发光性能。随着热氧化温度升高， Ga掺杂量增大， ZnO薄膜的晶粒尺寸增大，尺寸更均一，紫外光与可见光强度比增大。随着热氧化时间延长， Ga掺杂量降低， ZnO薄膜的晶粒尺寸均一性变差，紫外光与可见光强度比减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁淑华	西安理工大学材料科学与工程学院	106	692	15.0	21.0
3	邹军涛	西安理工大学材料科学与工程学院	53	157	7.0	9.0
5	杨卿	西安理工大学材料科学与工程学院	11	4	1.0	2.0
11	周小红	西安理工大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0