不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂

• 作者: 殷红 赵德鹤
• 来源期刊: 超硬材料工程
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束辅助沉积 立方氮化硼薄膜 外延 原位掺杂 n型导电 电子应用
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 研究和应用
• 页码范围: 28-33
• 页数: 6页
• 分类号: TQ164
• 字数: 5387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1433.2018.01.007

摘要

在金刚石(001)基底上,在400℃、600℃和900℃温度条件下外延生长高质量的c-BN薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入Si,实现了n型原位掺杂.Si的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和Si浓度对于c-BN外延薄膜导电性能的影响.结果表明,在420℃下掺杂得到的薄膜电阻率低于在更高温度下制得的薄膜的电阻率.电子输运性能对于温度的依赖性以及其相应的理论拟合的结果表明,Si掺杂薄膜的激活能大约是0.3 eV,提高Si的掺杂浓度可以提高深能级受主的补偿作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷红	吉林大学超硬材料国家重点实验室	10	35	4.0	5.0
2	赵德鹤	吉林大学超硬材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0