基于光敏玻璃的垂直互连通孔仿真与电镀工艺研究

• 作者: 于大全 伍恒 曹立强 林来存 王启东 薛恺 邱德龙
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 转接板技术 光敏玻璃 玻璃通孔 电流密度 填充工艺
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 信息与控制
• 页码范围: 52-57
• 页数: 6页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 3438字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15918/j.tbit1001-0645.2018.01.009

摘要

本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20 GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024 dB和-1.62 dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120 μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹立强	中国科学院微电子研究所	20	100	4.0	9.0
2	王启东	中国科学院微电子研究所	8	11	2.0	3.0
3	林来存	中国科学院微电子研究所	2	9	2.0	2.0
4	邱德龙	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0
5	伍恒		1	4	1.0	1.0
6	薛恺		2	7	2.0	2.0
7	于大全		6	28	3.0	5.0