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摘要:
论述了锗晶片的表面氧化机理及锗晶片表面清洗的不同方法,其中,锗晶片的清洗主要包括干法清洗和湿法清洗两种,不同清洗方法对锗表面的影响采用了XPS,AFM进行了表征.并对未来锗清洗技术的发展进行了展望.
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文献信息
篇名 锗晶片表面清洗研究进展
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 锗晶片 表面清洗 表面氧化层
年,卷(期) 2018,(2) 所属期刊栏目 半导体制造工艺与设备
研究方向 页码范围 36-39
页数 4页 分类号 TN305.97
字数 2042字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.02.009
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作者信息
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1 曹玲 中国电子科技集团公司第四十六研究所 8 25 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
锗晶片
表面清洗
表面氧化层
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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