CO2/SiH4气体流量比对氢化硅氧(SiOx∶H)薄膜微结构和光学特性的影响

• 作者: 刘小娇 刘洁青 施光辉 涂晔 王书荣 胡志华
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化非晶硅氧 光学带隙 二氧化碳 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 页码范围: 149-153
• 页数: 5页
• 分类号: TB383.2
• 字数: 2435字
• 语种: 中文

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以不同的二氧化碳与硅烷气体流量比(RC=[CO2]/[SiH4]=0、0.5、1、2)和不同的衬底温度(200和250℃)在高气压(220 Pa)和高功率密度(1 W/cm2)条件下制备了一系列的氢化硅氧(SiOx∶H)薄膜.运用Raman谱、XRD和紫外-可见光透射谱(UV-VIS)对材料的微结构和光学特性进行测试与分析.实验发现,薄膜沉积速率高达0.60 nm/s;同时,随着掺入气体C02流量增加,薄膜由微晶+非晶两相结构逐渐转化为非晶相;在500～750 nm波长范围内,氧的掺入使薄膜折射率下降(从3.67到2.65)、光学带隙增大(从1.52～2.26 eV).