过渡区p型氢化硅氧薄膜结构和光电特性的研究

• 作者: 徐叙瑢 徐征 李同锴 薛俊明 赵谡玲
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 射频等离子体增强化学气相沉积 过渡区p层 硅氧薄膜 光学带隙
• 年，卷（期）: 2017,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 259-267
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.196801

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,利用二氧化碳(CO2)、氢气(H2)、硅烷(SiH4)和乙硼烷(B2 H6)作为气源,制备出一系列p型氢化硅氧薄膜.利用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和暗电导测试,研究了不同二氧化碳流量对薄膜材料结构和光电特性的影响,获得了从纳米晶相向非晶相转变的过渡区p层.研究表明:随着二氧化碳流量从0增加到1.2 cm3·min?1,拉曼光谱的峰值位置从520 cm?1逐渐移至480 cm?1.材料红外光谱表明,随着二氧化碳流量的增加,薄膜中的氧含量逐渐增加,氢键配置逐渐由硅单氢键转换为硅双氢键.P层SiO:H薄膜电导率从3 S/cm降为8.3×10?6 S/cm.所有p型SiO:H薄膜的光学带隙(Eopt)都在1.82—2.13 eV之间变化.在不加背反射电极的条件下,利用从纳米晶相向非晶相转变的过渡区p层作为电池的窗口层,且在P层和I层之间插入一定厚度的缓冲层,制备出效率为8.27%的非晶硅薄膜电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐征	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室	114	739	13.0	21.0
2	徐叙瑢	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室	20	54	4.0	6.0
3	赵谡玲	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室	55	365	9.0	17.0
4	薛俊明		15	43	5.0	5.0
5	李同锴	北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室	20	49	4.0	6.0