GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片

• 作者: 方圆 李富强 陈月盈
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 延时器 砷化镓 超宽带 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 926-929
• 页数: 4页
• 分类号: TN914.42
• 字数: 1714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201805.0926

摘要

研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中.微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3～17 GHz范围内,延时调节范围为10～630 ps,64态延时均方根(RMS)误差小于8 ps,全态插入损耗小于22 dB,插损波动小于±1 dB,全频带输入输出电压驻波比(VSWR)小于1.7,整个芯片尺寸仅为4.0 mm×2.6 mm×0.07 mm.实测结果与理论仿真结果吻合良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方圆	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	11	2.0	3.0
2	陈月盈	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	1	1.0	1.0
3	李富强	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	36	3.0	6.0