宽带GaAs PHEMT VCO设计

• 作者: 吕昕 应子罡 李拂晓 高本庆
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 压控振荡器 砷化镓赝晶高电子迁移率器件 设计
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 112-116
• 页数: 5页
• 分类号: TN752
• 字数: 1878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893X.2005.03.025

摘要

分析了宽带VCO的设计原理,阐明了设计步骤,采用双变容二极管的新型结构设计了2～4 GHz、4～7 GHz、7～12 GHz和12～18 GHz四个宽带GaAs VCO芯片以完全覆盖2～18 GHz频段.仿真结果表明本文设计的VCO具有频带宽、负载牵引小、结构简单的特点,有很好的应用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕昕	北京理工大学信息科学技术学院	58	285	10.0	14.0
2	高本庆	北京理工大学信息科学技术学院	85	788	15.0	23.0
3	李拂晓		60	352	10.0	14.0
4	应子罡	北京理工大学信息科学技术学院	4	30	3.0	4.0