硅晶片电阻率测量技术的研究

• 作者: 常耀辉 戚红英 秦伟亮 窦连水
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶片 电阻率 四探针测试法
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 45-49
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 字数: 5267字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.011

摘要

分析了硅晶片电阻率测试的重要性并介绍了国内外常用的电阻率测试方法,并对使用最广泛的工艺检测手段- 四探针技术的原理、测准条件及发展状况进行了详细的介绍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	窦连水	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	2	1.0	1.0
2	戚红英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	7	2.0	2.0
3	常耀辉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	1	1.0	1.0
4	秦伟亮	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	0	0.0	0.0