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摘要:
采用超窄间隙介质阻挡电离放电方法将氧离解、电离、电离离解成低温氧等离子体,其中O- 和O2(a1Δg)等活性粒子在电场中反应生成高浓度臭氧O3,臭氧浓度达到286 mg/L.臭氧产生设备输出高浓度臭氧输送给气液溶解混合装置, 将高浓度臭氧强激励溶解于超净水中形成高浓度臭氧超净水,仅用3 min其浓度达到54.6 mg/L.所形成高浓度超净臭氧水将把硅片表面颗粒物、金属离子、粘附有机物、自然氧化膜等消除掉.解决硅片表面存在的质量技术问题.
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文献信息
篇名 制取高浓度臭氧超净水方法及其设备
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 清洗硅片表面 臭氧超净水 超窄间隙介质阻挡电离放电 等离子体源 气液溶解混合
年,卷(期) 2018,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 22-25,54
页数 5页 分类号 TN305
字数 2190字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.05.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨波 大连海事大学理学院 49 603 15.0 22.0
2 白敏菂 大连海事大学理学院 52 615 15.0 23.0
3 何叶 大连海事大学理学院 2 0 0.0 0.0
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