五层纳米SiO2-Al2O3/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能

• 作者: 杨瑞宵 王相文 范勇 赵伟 陈昊
• 来源期刊: 复合材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合薄膜 聚酰亚胺(PI) SiO2-Al2O3纳米粒子 多层结构 介电性能 耐电晕
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 树脂基复合材料
• 页码范围: 1050-1058
• 页数: 9页
• 分类号: TB332
• 字数: 6310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13801/j.cnki.fhclxb.20170630.001

摘要

采用浸胶法制备了一系列 SiO2-Al2O3/聚酰亚胺(SiO2-Al2O3/PI)五层耐电晕薄膜 AmAnPAnAm,其中中间层(P)为纯PI薄膜,外层(Am)、次外层(An)分别为 SiO2-Al2O3掺杂不同质量分数的纳米 SiO2-Al2O3/PI 薄膜.采用TEM、FTIR、宽频介电谱仪、电导电流测试仪、耐电晕测试仪、介电强度测试仪和拉伸实验机对五层纳米复合PI耐电晕薄膜的微观结构、介电性能和力学性能进行了表征和测试.结果表明,SiO2-Al2O3/PI复合薄膜掺杂层形成了分布均匀的有机/无机复合结构;SiO2-Al2O3纳米粒子的保护作用是影响复合材料耐电晕性能的主要因素,复合薄膜A32A16PA16A32的耐电晕寿命最大,为23.4 h;外层掺杂量对五层SiO2-Al2O3/PI复合材料的介电强度影响较大,复合薄膜 A20A28PA28A20的介电强度最大,为302.3 kV/mm;通过对五层复合结构的设计,可以在兼顾材料力学性能的同时,提高其耐电晕寿命和介电强度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范勇	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	70	539	13.0	18.0
2	陈昊	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	32	202	8.0	12.0
3	杨瑞宵	哈尔滨理工大学电气与电子工程学院	17	70	4.0	7.0
4	赵伟	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	6	15	2.0	3.0
5	王相文	哈尔滨理工大学材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0