基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真

• 作者: 程正喜 钟燕平 陈永平 鞠国豪
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 标准CMOS工艺 线性APD 掺杂分布 峰值浓度深度 仿真
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 184-191,199
• 页数: 9页
• 分类号: TN364
• 字数: 5834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2018.02.010

摘要

采用标准CMOS工艺制备的n+-p-π-p+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×1012/cm2,峰值浓度深度为2.1 μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永平	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	25	98	6.0	8.0
2	程正喜	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	9	21	3.0	4.0
3	钟燕平	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	2	3	1.0	1.0
7	鞠国豪	中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室	4	5	2.0	2.0