55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究

• 作者: 曾绍海 李铭 林宏 陈张发
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电镀液 添加剂 双大马士革 55 nm技术代 铜互连
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 504-508,516
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.96
• 字数: 2699字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了电镀铜过程中添加剂对55 nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55 nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核,提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口,使该产品满足集成电路制造生产线的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾绍海		2	0	0.0	0.0
2	林宏		1	0	0.0	0.0
3	陈张发		2	0	0.0	0.0
4	李铭		2	0	0.0	0.0