层状SnSe2材料中锂离子吸附和迁移的第一性原理研究

• 作者: 方林灿 郑庆荣 郝宽荣 闫清波
• 来源期刊: 中国科学院大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二硒化锡 锂离子吸附 锂离子迁移 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 数学与物理学
• 页码范围: 735-742
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2018.06.004

摘要

使用第一性原理方法系统地计算研究层状SnSe2材料中锂离子吸附和迁移.发现锂原子在SnSe2表面被强烈吸附,结合能(＞3 eV)显著大于石墨烯、磷烯、MoS2等二维层状材料.Bader电荷分析表明锂原子的几乎整个2s电子电荷都转移给了SnSe2,锂原子以正离子的形式存在.单层SnSe2表面锂离子的迁移势垒为0.197 eV,低于石墨烯、MoS2等二维层状材料.基于单层SnSe2的锂离子电池理论,平均开路电压为3.05 V.此外,锂离子的插入也带来了从半导体态向金属态的转变,从而具有较好的电导率.这些发现增进了对层状过渡金属二硫化物材料中锂离子吸附性质和迁移机制的理解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑庆荣	中国科学院大学物理科学学院	5	0	0.0	0.0
2	闫清波	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	4	0	0.0	0.0
3	方林灿	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	1	0	0.0	0.0
4	郝宽荣	中国科学院大学材料科学与光电技术学院	1	0	0.0	0.0