基于第一性原理的单层SnSe2二维薄膜的气敏效应

• 作者: 余堃 刘建 官德斌 杨希 杨芳 肖丹
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 密度泛函理论 SnSe2单层 二维薄膜 气敏效应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 509-514
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 4130字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201903.0509

摘要

为探索SnSe2二维薄膜材料的气敏特性,采用分子力场方法系统地研究了SnSe2二维单层材料对H2,CO,NH3及NO2等4种典型气体分子的最优吸附位置和吸附能力,并基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法计算了吸附前后的键长键角变化率、能带结构、态密度及电荷差分密度等参数,分析了吸附前后的电子结构变化与气敏效应之间的内在关联.计算结果发现,吸附H2和CO未能对SnSe2单层的能带结构和电子结构产生改变,而NO2和NH3却在导带底(CBM)和价带顶(VBM)之间分别产生了新的杂质能级,并使费米能级发生位移,从而改变SnSe2单层电子结构.电荷差分密度分析进一步表明SnSe2二维单层未能对H2和CO产生响应,而对NH3和NO2却有明显的气敏效应,其中对NO2有良好的敏感性能和选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖丹	四川大学化学学院	89	534	11.0	19.0
2	余堃	中国工程物理研究院化工材料研究所	17	29	3.0	4.0
3	刘建	中国工程物理研究院化工材料研究所	19	39	4.0	5.0
4	杨芳	中国工程物理研究院化工材料研究所	6	1	1.0	1.0
5	官德斌	中国工程物理研究院化工材料研究所	8	15	2.0	3.0
9	杨希	中国工程物理研究院化工材料研究所	2	4	1.0	2.0