磷掺杂碳化硅的制备及其影响因素

• 作者: 曹宏 李梓烨 竺昌海 薛俊 袁密 郑雨佳 高峰
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 磷掺杂 碳热还原法 禁带宽度 比表面积 影响因素
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 538-542
• 页数: 5页
• 分类号: O613.7
• 字数: 3289字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2018.05.012

摘要

以葡萄糖粉剂为碳源,沉淀白炭黑为硅源,磷酸为掺杂源,通过碳热还原法制备了磷掺杂碳化硅(SiC).并利用X射线衍射仪、紫外可见吸收光谱仪、扫描电子显微镜、比表面积测试仪等对不同合成温度、不同掺杂浓度下所制备样品物相组成、微观形貌以及性质进行了表征.结果表明,磷原子进入SiC晶格,形成了磷掺杂3C-SiC.所制备的SiC样品与白炭黑的微观结构相似,其一次粒子平均粒径约150 nm,最高比表面积84.4 m2/g.当n(P):n(Si)≥0.01时,掺杂达到饱和.随着温度升高,SiC禁带宽度降低,1350℃后变化微弱,1400℃时,比表面积最大.合成磷掺杂SiC的原料廉价易得,工艺简单,有望实现工业化生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊	武汉工程大学材料科学与工程学院	56	216	8.0	11.0
5	郑雨佳	武汉工程大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
6	竺昌海	武汉工程大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0
7	李梓烨	武汉工程大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
8	高峰	武汉工程大学材料科学与工程学院	4	24	2.0	4.0
9	袁密	武汉工程大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0