硅基片上的中波红外铝线栅偏振器设计

• 作者: 刘定权 孔园园 罗海瀚
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 线栅偏振器 硅(Si)基片 介质层 铝(Al)线栅 消光比
• 年，卷（期）: 2018,（7）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 461-467
• 页数: 7页
• 分类号: O436.3
• 字数: 4287字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种Si基片上的A1线栅偏振器,在Al线栅和Si基片间引入一层低折射率SiO介质层,适用于3.0～5.0μm的中波红外波段.采用有限时域差分(FDTD)方法,对SiO介质层和金属线栅材料(Al,Au,Ag,Cu和Rh)分别进行了优化.SiO介质层的引入削弱了Al线栅和Si基片之间界面上激发的表面等离子体激元,横磁(TM)偏振光的透过率提高,横电(TE)偏振光的反射增强,消光比上升.对Al,Au,Ag,Cu和Rh五种金属线栅材料分析表明,Al是最合适的材料.当SiO介质层厚度为300 nm、线栅周期为400 nm和占空比为0.5时,Al线栅偏振器在4.0 μm波长处的TM偏振光的透过率达到94.8％,消光比为28.3 dB,在3.0～5.0 μm波段具有良好的偏振性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘定权	中国科学院上海技术物理研究所	49	176	8.0	12.0
5	罗海瀚	中国科学院上海技术物理研究所	11	19	3.0	4.0
6	孔园园	中国科学院上海技术物理研究所	1	0	0.0	0.0