错误相关负电位单次检测技术研究

• 作者: 刘素杰 张锐 牛新 胡玉霞 逯鹏
• 来源期刊: 生物医学工程学杂志
• 关键词: 错误相关负电位 脑—机接口 小波变换 时频域特征 单次检测
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 新技术与新方法
• 页码范围: 606-612
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7507/1001-5515.201708043

摘要

当个体在感知发生错误时,会在头皮额中央区产生错误相关负电位(ERN).ERN 信噪比低、个体差异大,单次检测 ERN 比较困难.本文采用 ERN 大脑活动模式图和离线识别正确率的方法优选脑电信号通道,进一步基于 ERN 离线识别正确率对时间段进行优选,然后基于小波变换对 ERN 的低频时域特征与高频时—频域特征进行了分析,在此基础上提出了 ERN 的单次检测算法.最后,通过使用优选出的 6 个通道反馈刺激后200～600 ms 的脑电数据,提取 0～3.9 Hz 频段的降采样点特征和 3.9～15.6 Hz 频段的能量、方差特征,对 ERN 和非 ERN 进行单次识别,在 10 名受试者中实现了 72.0％ ± 9.6％ 的识别正确率.本文的研究结果有助于错误指令实时纠正技术在脑—机接口在线系统中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张锐		142	1144	18.0	24.0
2	胡玉霞		37	298	9.0	16.0
3	逯鹏		32	202	7.0	13.0
4	刘素杰		4	3	1.0	1.0
5	牛新		4	7	2.0	2.0