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PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究
PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究
作者:
吴亮
王琦琨
雷丹
龚加玮
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
AlN烧结
氧杂质
沉积行为
晶体生长
摘要:
AlN晶体中的氧杂质会严重影响晶体性能.因此,氧含量的控制一直是AlN晶体生长工艺中的热点和难点.为了减少AlN晶体中的氧杂质含量,通常在长晶之前使用粉料高温烧结工艺去除大部分的氧杂质.使用XRD及EGA等检测方法,对不同烧结工艺下AlN烧结过程中坩埚盖处的氧杂质沉积行为及其规律进行了对比研究.研究发现,使用低温(900~1 100℃)真空保温与1 500℃的氮气保护下保温相结合的方法可以极大促进氧杂质在坩埚盖处的前期沉积.在氮气保护环境下进一步提升烧结温度至2 000~2 100℃并经过一段时间的保温后,坩埚盖沉积物表面会出现黄褐色AlN结晶层,相应的检测结果表明此阶段坩埚盖处的氧杂质大量挥发,沉积过程已经基本结束.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名
PVT方法下AlN烧结工艺坩埚盖处氧杂质沉积行为研究
来源期刊
半导体光电
学科
工学
关键词
AlN烧结
氧杂质
沉积行为
晶体生长
年,卷(期)
2018,(3)
所属期刊栏目
材料、结构及工艺
研究方向
页码范围
365-368
页数
4页
分类号
TN304
字数
语种
中文
DOI
10.16818/j.issn1001-5868.2018.03.013
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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1
吴亮
上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室
13
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2
龚加玮
上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室
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王琦琨
上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室
2
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4
雷丹
上海大学材料科学与工程学院省部共建高品质特殊钢冶金与制备国家重点实验室上海市钢铁冶金新技术开发应用重点实验室
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传播情况
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引文网络
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
AlN烧结
氧杂质
沉积行为
晶体生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
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