ZnO自整流忆阻器及其神经突触行为

• 作者: 张洪亮 曹鸿涛 李惠 梁凌燕 焦雷 王洋 诸葛飞 赵飞文 郑秀 高俊华
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 自整流 神经突触器件 ZnO
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 726-729,857
• 页数: 5页
• 分类号: TN804
• 字数: 1401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.05.007

摘要

Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性.I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理.在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为.