氧化物基忆阻型神经突触器件

• 作者: 刘益春 徐海阳 林亚 王中强
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化物 忆阻器 忆阻机理 突触仿生
• 年，卷（期）: 2019,（16）
• 所属期刊栏目: 专题:纪念黄昆先生诞辰百年
• 页码范围: 340-358
• 页数: 19页
• 字数: 7132字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.68.20191262

摘要

忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统CMOS兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻变行为及其运行机制,包括数字型和模拟型忆阻器.主要综述了基于模拟型忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括非线性传输特性、时域突触可塑性、经验式学习和联合式学习等.然后进一步介绍了忆阻型突触器件在模式识别、声音定位、柔性可穿戴和光电神经突触方面的潜在应用.最后总结展望氧化物基忆阻神经突触在相关领域的可能发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘益春	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	50	292	10.0	15.0
2	徐海阳	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	10	34	3.0	5.0
3	王中强	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	3	11	1.0	3.0
4	林亚	东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室	2	1	1.0	1.0